芯片制造技术工艺主要分类和芯片封装清洗

芯片制造技术工艺主要分为以下几大类，涵盖从原材料处理到封装测试的全流程：

一、前道核心工艺

1. 光刻技术
   通过光刻胶涂覆、掩模曝光和显影形成电路图案，是芯片制造的核心技术。关键技术包括：

• 光刻胶旋涂与烘烤

• 深紫外（DUV）或极紫外（EUV）曝光

• 多重曝光（Multi-Patterning）

2. 刻蚀工艺
   利用化学或物理方法去除未被光刻胶保护的材料，分为：

• 干法刻蚀（等离子体刻蚀）

• 湿法刻蚀（化学溶液腐蚀）

3. 掺杂技术
   通过离子注入或高温扩散改变半导体导电特性，形成PN结：

• 离子注入：精确控制掺杂深度和浓度

• 扩散工艺：适用于大尺寸器件

二、薄膜与掺杂工艺

1. 薄膜沉积技术

• 物理气相沉积（PVD）：溅射、蒸发法，用于金属层

• 化学气相沉积（CVD）：包括PECVD、LPCVD等，用于介质层

• 原子层沉积（ALD）：纳米级薄膜控制

2. 氧化工艺
   生成二氧化硅绝缘层，分干氧氧化（高质量界面）和湿氧氧化（快速厚膜）

三、互连与封装技术

1. 金属互连
   采用铜互连或铝互连技术，通过双大马士革工艺形成多层布线

2. 芯片键合

• 楔型键合：高可靠性，适用于汽车电子

• 球型键合：高效率，用于微型集成电路

• 凸点键合：高密度I/O，适用3D封装

3. 先进封装
   包括倒装芯片（Flip-Chip）、扇出型封装（Fan-Out）、硅通孔（TSV）等技术

四、测试与后处理

1. 晶圆级测试
   通过探针台进行电性测试，筛选合格晶粒

2. 化学机械抛光（CMP）
   确保晶圆表面平整度，支持多层结构

3. 切割与清洗
   激光切割或金刚石刀片切割，配合超纯水/化学清洗

五、特殊工艺技术

1. SOI技术
   绝缘体上硅，用于高频低功耗器件

2. FinFET/纳米片结构
   三维晶体管制造技术

3. EUV光刻配套工艺
   包括光刻胶研发、掩模缺陷修正等

技术演进趋势

当前工艺正向3nm/2nm节点发展，关键突破包括：

• EUV双重图案化技术

• 高迁移率沟道材料（如SiGe）

• 环绕栅极（GAA）结构

以上分类可参考具体工艺文档进一步展开，例如详细描述了集成电路制造全流程，重点解析了封装键合技术，系统梳理了前道与后道工艺界限。

芯片封装清洗介绍

·         合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

·         水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

·         污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

·         这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

·         合明科技运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。