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芯粒(Chiplet)技术与异质异构集成技术是半导体领域推动后摩尔时代发展的关键路径,两者既有技术关联性,也有明确的差异化定位。以下从技术定义、核心区别及市场应用三个维度进行分析:
定义:芯粒是将芯片功能模块化为独立的小芯片单元,通过先进封装技术(如2.5D/3D封装、硅中介层等)集成到一个系统级封装(SiP)中,形成高性能芯片。
特点:
工艺异构:不同功能模块采用不同制程工艺(如CPU用7nm,I/O用14nm),降低成本并提升良率。
模块复用:芯粒可跨产品复用,加速研发周期(如AMD三代锐龙复用霄龙I/O芯片)。
封装主导:依赖先进封装技术实现高密度互连,如台积电的CoWoS和Intel的EMIB。
定义:异质异构集成是将不同材料(如硅、GaN、SiC)、不同工艺节点、不同功能的芯片或器件集成到同一封装中,形成多功能系统。
特点:
材料异构:突破单一材料限制,集成光电器件、传感器、功率器件等(如Si与GaN的结合)。
跨学科整合:融合微电子、光电子、MEMS等技术,实现微型化和多功能(如生物检测微系统)。
多维度互连:需解决TSV(硅通孔)、RDL(重布线层)等三维互连技术的热、力、电磁兼容问题。
高性能计算(HPC)与AI:数据中心通过芯粒集成提升算力密度,降低功耗(如英伟达H100采用多芯粒设计)。
消费电子:手机SoC通过芯粒整合射频、基带模块,缩短研发周期。
中国市场机会:中国企业在封装(如长电科技、通富微电)和设计(如华为)领域加速布局,试图突破先进制程限制。
智能终端:集成传感器、射频前端与处理器,实现小型化(如苹果UWB芯片)。
汽车电子:车载雷达、激光雷达需异质集成光电元件与计算芯片。
工业物联网:结合功率器件(SiC)与控制芯片,提升能效。
芯粒市场:2025年全球规模达65亿美元,预计2035年突破600亿美元,CAGR超30%。
异质异构集成:技术壁垒较高,但随着5G、AIoT需求增长,2030年市场规模或超200亿美元。
技术挑战:
芯粒:互连标准统一(如UCIe联盟)、良率优化。
异质异构:材料界面缺陷、热管理、跨尺度仿真。
未来趋势:
技术融合:芯粒与异质异构集成结合,推动“More than Moore”发展。
生态构建:需跨企业、跨学科合作,建立统一的设计与测试标准。
芯粒技术是异质异构集成的重要分支,聚焦工艺异构与封装创新;而异质异构集成更强调材料与功能的深度融合。两者共同驱动半导体从“单片集成”向“系统级集成”演进,未来将在AI、汽车电子、物联网等领域释放更大潜力。
先进封装芯片清洗剂选择:
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。
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