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硅片清洗中烘干过程对硅片表面颗粒的影响
硅片表面颗粒污染会造成的危害包括:影响器件工艺良品率而造成的制造成本、影响器件性能导致了器件性能的失常、影响器件的可靠性等等，所以硅片表面颗粒必须清洗干净才能进入下一道工序。
今天合明科技小编给大家分享的是硅片清洗中烘干过程对硅片表面颗粒的影响，希望能对您有所帮助！
硅片清洗中烘干过程对硅片表面颗粒的影响
在硅片清洗工艺中，有一个重要的影响因素是烘干机，烘干机的影响条件主要是甩干时的转速以及烘干的时间，为了探究硅片清洗中烘干过程对硅片表面颗粒的影响，小编通过实际的实验来加以验证和说明。将清洗出来的的硅片放入烘干机，并对数据进行统计分析。实验数据出来过后要进行以下分析：
1、甩干时的转速与表面颗粒的关系：
从上面图表可以看出，转速在2000转/分以下时，由于甩水效果差，出现的颗粒问题是表较严重的，颗粒数量多就会对芯片的的质量产生较大的威胁，于是生产中并不可取。而3000转/分~4500转/分以上的产生的影响就可以忽略。而大于5000转/分由于速度过快，会出现碎片的问题，从而导致颗粒的污染。
2、烘干时间与表面颗粒的关系：
由图示可以看出，烘干时间对表面颗粒的影响还是比较小的，都在颗粒硅片的表面 面积都在0.06以下，可以得出烘干时间对表面颗粒没有直接影响。
以上是关于硅片清洗中烘干过程对硅片表面颗粒的影响的全部内容了，希望能对您有所帮助！
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